Найден способ сделать смартфон вдвое быстрее

Комитет JEDEC Solid State Technology Association сделал анонс, согласно которому уже в ближайшем будущем все смартфоны и прочие цифровые устройства смогут работать вдвое быстрее. Это станет возможным благодаря новому стандарту памяти UFS 3.0. Такая память способна работать в широком температурном диапазоне от −40 °C до 105 °C. Это делает возможным применение ее в автомобилях и даже самолетах. Ожидается, что на прилавках магазинов обновленные смартфоны появятся уже в этом году. Как сообщает сайт interteam, производством памяти займется Samsung и ряд других менее известных компаний.

В 2013 году была представлена технология памяти UFS 2.1, обладающая суммарной пропускной способностью на уровне 1,2 Гбайт/с. Сейчас встретить такую флеш-память, которая занимает промежуточное место между eMMC и SSD-накопителями, можно в смартфонах многих популярных брендов, в том числе Samsung и LG. Тем не менее, технология UFS 3.0, анонсированная 31 января 2018 года, может похвастаться скоростью на уровне 2,4 Гбайт/с, благодаря чему быстродействие новых смартфонов при работе с файлами возрастет в целых два раза.

Поскольку процессор любого мобильного устройства постоянно обрабатывает какую-то информацию, то повышение скорости флеш-памяти позволит значительно увеличить быстродействие всех смартфонов, которые получат память типа UFS 3.0. Разница в производительности может оказаться двукратной, поскольку быстродействие накопителя напрямую отражается на скорости загрузки операционной системы и других программных продуктов – приложений, файлов и т,д.

Ранее портал "Знай.ua" сообщал, как улучшить домашнюю сеть